• 15 сентября 2011, четверг
  • , Политехнический музей, Новая площадь ¾, подъезд 9, Большая аудитория

Полупроводниковая революция XX века

Регистрация на событие закрыта

Извините, регистрация закрыта. Возможно, на событие уже зарегистрировалось слишком много человек, либо истек срок регистрации. Подробности Вы можете узнать у организаторов события.

Другие события организатора

Открытый университет Сколково (ОтУС)
2747 дней назад
15 сентября 2011 c 18:30 до 20:30
Политехнический музей, Новая площадь ¾, подъезд 9, Большая аудитория

ОтУС представляет открытую лекцию Сопредседателя Консультативного научного Совета Фонда Сколково, лауреата Нобелевской премии, Академика Жореса Алферова.

Прямая трансляция — http://i-gorod.com/live/

Биография Ж.И. Алфёрова.

Родился 15 марта 1930 в г. Витебске (Белоруссия). В декабре 1952 закончил ЛЭТИ. В январе 1953 поступил в ФТИ им. А.Ф. Иоффе, где защитил кандидатскую (1961) и докторскую (1970) диссертации. Член-корреспондент (1972), академик РАН (1979). С 1987 по 2003 — директор ФТИ.

Научные работы в области физики полупроводников, полупроводниковой и квантовой электроники, технической физики. Принимал участие в создании первых отечественных транзисторов, фотодиодов, мощных германиевых выпрямителей. Открыл явление сверхинжекции в гетероструктурах и показал, что в полупроводниковых гетероструктурах можно принципиально по-новому управлять электронными и световыми потоками. Создал «идеальные» полупроводниковые гетероструктуры. Исследованиями Ж.И. Алфёрова фактически создано новое направление — гетеропереходы в полупроводниках.

В 2000 совместно с Г. Кремером удостоен Нобелевской премии по физике за фундаментальные работы, заложившие основы современных информационных технологий посредством создания полупроводниковых гетероструктур, используемых в cверхвысокочастотной и оптической электронике.

Как было теоретически и экспериментально показано в работах, выполненных лауреатом в ФТИ, в полупроводниковых гетероструктурах — искусственных кристаллах, выращенных из различных по химическому составу полупроводников, — можно принципиально по-новому управлять электронными и световыми потоками. Разработанные на основе гетероструктур лазеры, светоизлучающие диоды, фотодиоды, транзисторы и солнечные батареи широко используются в современных системах передачи и хранения информации и в космической энергетике.

В настоящее время — вице-президент РАН, председатель Санкт-Петербургского научного центра РАН, ректор Академического университета. С 1972 г. по настоящее время — профессор, с 1973 по 2004 г. — заведующий базовой кафедрой оптоэлектроники Ленинградского электротехнического института (ныне Санкт-Петербургского электротехнического университета), с 1988 г. по настоящее время — декан физико-технического факультета Ленинградского Политехнического института (ныне Санкт-Петербургского государственного технического университета). Главный редактор журнала «Письма в Журнал технической физики».

Автор более 500 научных работ, в том числе 4 монографий, более 50 изобретений. Среди его учеников более сорока кандидатов и десяти докторов наук. Наиболее известные представители школы: чл.-корреспонденты РАН Д.З. Гарбузов и Н.Н. Леденцов, доктора физ.-мат. наук: В.М. Андреев, В.И. Корольков, С.Г. Конников, С.А. Гуревич, Ю.В. Жиляев, П.С. Копьев, др.

С 1989 по 1992 годы являлся народным депутатом СССР. С 1995 г. по настоящее время является депутатом Государственной Думы Федерального Собрания Российской Федерации. С 2000 г. является членом Комитета по науке и образованию Государственной Думы.

Регистрация

Рекомендуемые события

Организуете события? Обратите внимание на TimePad!

Профессиональная билетная система, статистика продаж 24/7, выгрузка списков участников, встроенные инструменты продвижения, личный кабинет для самостоятельного управления и еще много чего интересного.

Узнать больше